基板の製造プロセス 基板を設計する際には、おおまかな製造プロセスを知っておく必要があります。 ここでは、4層の貫通基板について述べます。 なお、銅箔の厚さは 18 um や 35 um が標準的に用いられます。 （脚注1） 一般に用いられている基板の樹脂はガラスエポキシで、比誘電率は 4 ～ 5 程度、メーカによって 4.3 や 4.7 を用いています。 図1 は標準的な 4層基板の断面図です。 図1 4層板の断面図の例 次に、各製造プロセスの説明に移ります。 電気的にあまり関係のない工程は省いているので、詳細はボードメーカさんに確認してください。 図2 4層板の製造プロセス - コア材 (1) 中間層（L2 および L3）のパターンニング Web窒化物半導体基板の製造方法であって、 （1）単結晶シリコンからなる成膜用基板の外周部にシリコン窒化膜を形成する工程、 （2）前記成膜用基板上、及び前記外周部のシリコン窒化膜上にAlN膜を成長させる工程、及び （3）前記AlN膜上にGaN膜、AlGaN膜、又 ...

次世代パワーデバイス用SiC基板の 研磨技術 - 日本郵便

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